??近年來,存儲器在半導體產(chǎn)業(yè)中占比逐年提升,存儲器市場也是芯片交易市場中最熱門的板塊之一。其中,NOR Flash在經(jīng)過之前的低谷后,該市場正在快速回溫。隨著供需關(guān)系的變化和整個市場行情的回暖,以及新興應用的崛起,NOR Flash的重要性受到越來越多地關(guān)注。
? 新興驅(qū)動:NOR Flash需求激增
??一般來說,存儲芯片可以簡單分為DRAM和Flash,F(xiàn)lash又分為NOR Flash 和Nand Flash兩種。其中,NOR Flash芯片應用領(lǐng)域極其廣泛,幾乎所有需要存儲系統(tǒng)運行數(shù)據(jù)的電子設備都需要使用NOR Flash。特別是在新興應用的推動下,市場對NOR Flash需求較為旺盛,產(chǎn)品供不應求,漲價趨勢較為明顯,市場規(guī)模也將重回增長。具體而言,以TWS耳機為代表的可穿戴設備、手機屏幕顯示的AMOLED和TDDI技術(shù),以及功能越來越強大的車載電子等領(lǐng)域,是NOR Flash市場空間獲得再次擴大的主要動力。
??以TWS耳機為例,據(jù) 統(tǒng)計,2019年全球 TWS 耳機出貨量為1.29 億部,呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。而每顆TWS耳機均需要一顆NOR Flash 用于存儲固件及相關(guān)代碼。隨著技術(shù)的不斷進步,以及相關(guān)企業(yè)為了保證自家TWS耳機具有較強的市場競爭力,TWS耳機功能將會持續(xù)增加,而功能的增加也就意味著NOR Flash容量需求的增多。
??新興應用驅(qū)動使得NOR Flash的需求必然是從點到面的曲線式增長??紤]到穩(wěn)定增長的市場環(huán)境,對于國內(nèi)相關(guān)廠商而言是遇到了良機,他們需要做的是牢牢把握機遇從而轉(zhuǎn)化為自身優(yōu)勢。
? 不斷精進:國產(chǎn)NOR Flash實現(xiàn)突破
??目前,行業(yè)主流的NOR Flash產(chǎn)品工藝節(jié)點是65nm。而存儲器界的黑馬恒爍半導體,迎來新突破,推出48nm NOR Flash產(chǎn)品,率先走入新一代工藝節(jié)點。
? 恒爍NOR Flash 產(chǎn)品采用了功能更為復雜的芯片電路設計及不斷創(chuàng)新的工藝。它與上一代65nm產(chǎn)品相比,具有更高密度的集成,從而使得產(chǎn)品的特征尺寸不斷縮小,使其更廣泛地適配于各種應用領(lǐng)域。并且,對于同等容量的存儲芯片來說,Die size也就更小,如此一來大幅突顯出其成本優(yōu)勢,因此成本也有了顯著地下降。
??在產(chǎn)品設計上不斷進行突破,從不同角度考慮提升產(chǎn)品質(zhì)量及性能。強調(diào),此次推出的48nm NOR Flash具有幾大優(yōu)勢:通過有效刷新閃存單元數(shù)據(jù),提高數(shù)據(jù)留存周期;使用新型擦除操作算法,提高產(chǎn)品可靠性;增加頻率監(jiān)測,減小溫度的波動對產(chǎn)品的影響;增加電源驅(qū)動,減小供電電源波動對產(chǎn)品的影響等等。
? ??同時,新產(chǎn)品繼續(xù)支持標準SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基礎(chǔ)上,增加了DTR傳輸模式,即在時鐘上升沿和下降沿都可以進行數(shù)據(jù)輸出,相較于之前STR的單時鐘邊沿采樣,同樣的頻率下,有了雙倍的傳輸速率,進一步提高了數(shù)據(jù)訪問的效率。再加以48nm的工藝制程,使得新產(chǎn)品在讀寫速度上占優(yōu)勢,在相同條件下產(chǎn)品功耗更小,有效地延長了產(chǎn)品壽命。
??NOR Flash的需求激增讓國內(nèi)存儲器企業(yè)迎來了歷史性的發(fā)展機遇,以恒爍半導體為代表的國內(nèi)存儲芯片企業(yè)逐漸成熟壯大。隨著5G、IoT及自動駕駛等新興市場的快速增長,NOR Flash行業(yè)的發(fā)展?jié)摿τ心抗捕?。將會有更多的國?nèi)企業(yè)入局,與恒爍半導體共同創(chuàng)新謀變,打破高端市場進口壟斷的局面。